Основной целью дисциплины является изучение аспирантами специальных вопросов квантовой электроники в таких областях, как гетеротранзисторы, элементы с высокой подвижностью носителей зарядов, наноэлектронные полевые транзисторы, а также перспективные элементы и приборы нано-электроники. Также рассматриваются фундаментальные ограничения на плотность размещения элементов микро- и наноэлектроники и оптимизации степени интеграции.
Включает следующие направления исследований:
- Разработка и исследование физических основ создания новых и совершенствования существующих приборов, интегральных схем, изделий микро- и наноэлектроники, твердотельной электроники, дискретных радиоэлектронных компонентов, микроэлектромеханических систем (МЭМС), наноэлектромеханических систем (НЭМС), квантовых устройств, включая оптоэлектронные приборы и преобразователи физических величин.
- Исследование и разработка физических и математических моделей изделий, в том числе для систем автоматизированного проектирования.
- Исследование и разработка схемотехнических основ создания, конструкций и методов совершенствования изделий по п. 1.
- Исследование, моделирование и разработка технологических процессов и маршрутов изготовления, методов измерения характеристик и совершенствования изделий по п. 1.
- Исследование, проектирование и моделирование изделий, исследование их функциональных и эксплуатационных характеристик по п. 1, включая вопросы качества, долговечности, надежности и стойкости к внешним воздействующим факторам, а также вопросы их эффективного применения.