1.3 Физические науки

1.3.11 Физика полупроводников

4года обучения
очная форма обучения
Количество мест
(по группе специальностей):
Бюджетных – 9
Платных – 10
Стоимость обучения
за первый семестр на контракте
151 тыс. руб

Основной целью дисциплины является изучение аспирантами физических основ и специальных вопросов физики полупроводников. К ним относятся следующие: структура и симметрия полупроводниковых кристаллов, методы расчета зонной структуры полупроводников, полупроводниковые наногетероструктуры и методы расчета и диагностики их энергетического спектра.

Описание программы

Включает следующие направления исследований:

  • Физические основы технологических методов получения полупроводниковых материалов, композитных структур, структур пониженной размерности и полупроводниковых приборов и интегральных устройств на их основе.
  • Структурные и морфологические свойства полупроводниковых материалов, композитных структур и полупроводниковых приборов и интегральных устройств на их основе.
  • Примеси и дефекты в полупроводниках, композитных структур и полупроводниковых приборов и интегральных устройств на их основе.
  • Электронный транспорт в полупроводниках, композитных структур и полупроводниковых приборах и интегральных устройствах на их основе.
  • Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках, в композиционных полупроводниковых структурах, и полупроводниковых приборах и интегральных устройствах на их основе.
  • Спонтанная и стимулированная люминесценция в полупроводниковых материалах и композитных структурах, полупроводниковые лазеры и светоизлучающие устройства.
  • Акустические и механические свойства полупроводников, композиционных полупроводниковых структур и полупроводниковых приборов и интегральных устройств на их основе.
  • Спонтанная и стимулированная люминесценция в полупроводниковых материалах и композитных структурах, полупроводниковые лазеры и светоизлучающие устройства.
  • Моделирование свойств и физических явлений в полупроводниках и композитных структурах на их основе, технологических процессов и полупроводниковых приборов.
  • Разработка физических принципов работы и создание приборов на базе полупроводниковых материалов и композиционных полупроводниковых структур.
  • Разработка методов исследования полупроводников и композитных полупроводниковых структур.
  • Примеси и дефекты в полупроводниках и композитных структурах.
  • Поверхность и граница раздела полупроводников, полупроводниковые гетероструктуры, контактные явления.
Подать документы

Отзывы выпускников и студентов

Владислав Угрюмов

Здесь учат думать иначе, искать проблемы и предлагать их решения.

Выпуск

Дарья Прядко

ЛЭТИ предоставляет большие возможности, главное – изъявить желание.

Выпуск

Артем Мельников

ЛЭТИ дал мне опыт решения нестандартных задач, накопленный поколениями ученых.

Выпуск

Артем Глущенко

Я рад, что мне удалось поступить на направление, которое тесно связано с моими интересами.

Выпуск

Роман Мышко

ЛЭТИ предоставляет все необходимые возможности тем, кто хочет учиться.

Выпуск

Семен Хахулин

Я увидел ЛЭТИ и понял – это любовь с первого взгляда.

Выпуск

Кирилл Хорев

ЛЭТИ помог расширить внутренние границы и вырасти.

Выпуск

Александр Шахов

Моя маленькая мечта – передавать знания другим.

Выпуск

Юрий Шанин

ЛЭТИ заразил меня чаянием к бесконечным знаниям.

Выпуск

Ульяна Савченко

ЛЭТИ познакомил меня с людьми, которые мотивируют, вдохновляют, поддерживают.

Выпуск

Евгений Купчинский

ЛЭТИ научил разбираться в людях и четко распределять свое время.

Выпуск

Лана Богословская

ЛЭТИ оформил мой интерес к познанию и научной деятельности.

Выпуск

Татьяна Самсонова

ЛЭТИ дал, наверное, самый полезный урок – не бояться ошибок.

Выпуск

Татьяна Легкова

Преподавательский состав показал мне, что наука может быть интересной.

Выпуск

Наталия Рощина

Университет научил меня работать с информацией и структурно мыслить.

Выпуск

Екатерина Трусова

Для меня ЛЭТИ – это одна большая семья.

Выпуск

Борис И

Инженер лаборатории «Nondestructive evaluation and structural health monitoring laboratory», Корея

Благодаря кафедре ЭУТ и её преподавательскому составу у меня появился интерес к науке.

Выпуск 2012

Константин Сорокин

Инженер Международной лаборатории алгебраической топологии и ее приложений

Самыми полезными и важными для меня курсами были «Механика сплошных сред» и курс «Колебания и Волны».

Выпуск 2015

Алина Манохина

Инженер отделения судовой и промышленной акустики КГНЦ

Кафедра не только открыла мне двери в мир знаний и науки, но и подарила и не менее увлекательную и интересную работу.

Выпуск 2019

Полина Попова

Ведущий инженер по неразрушающему контролю, главный метролог ООО «Константа»

Я благодарна преподавателям за возможность быть уверенной в завтрашнем дне.

Выпуск 2010

Марина Рыбина

Инженер-конструктор Концерна «МПО – Гидроприбор»

Прекрасный преподавательский состав кафедры ЭУТ сформировал интерес к специальности и к науке в общем.

Выпуск 2019

Алексей Васильев

Ведущий инженер-дефектоскопист компании SIEMENS AG

ЛЭТИ дал мне большой объем знаний, перспективные знакомства, возможность реализовать себя не только в учебе, но и в студенческой жизни.

Выпуск 2019

Андрей Лутовинов

Кафедра привила любовь к науке, исследованию и поиску ответов. Такой подход позволяет успешно находить решения во всех сферах жизни.

Выпуск

Сергей Вьюгинов

Начальник производства, технолог ООО «ИНЛАБ – Ультразвук»

Родная кафедра ЭУТ помогла определиться с выбором направления обучения, обеспечила фундаментальную подготовку.

Выпуск 2007

Наталья Галичанина

Знания, полученные на кафедре ЛИНС, являются тем фундаментом, на котором можно строить своё профессиональное будущее.

Выпуск