Физическая электроника

11.04.04 Электроника и наноэлектроника

2года обучения
Количество мест
(по направлению подготовки):
Бюджетных – 125
Платных – 15
Стоимость обучения
за первый семестр на контракте
134 тыс. руб.
Государственная
аккредитация
Даты и время вступительных испытаний
11.07.2024 12:00
23.07.2024 12:00
12.08.2024 12:00
28.08.2024 12:00

Преимущества программы
При кафедре организована Научная школа Президента РФ «Микроэлектроника СВЧ»
Для проведения лабораторных работ, практических занятий, практик студентов и выполнения НИР кафедра ФЭТ располагает рядом учебно-научных лабораторией, оснащенных современным оборудованием
Углубленная теоретическая база и инженерная направленность подготовки
Описание программы

Основными целями магистерской программы являются:

  • Подготовить выпускников для успешного начала профессиональной инженерной деятельности и их дальнейшего профессионального роста, способных, благодаря углубленной теоретической базе и инженерной направленности подготовки, решать задачи проектирования, разработки и эксплуатации устройств электроники и микроэлектроники различного функционального назначения.
  • Способствовать развитию у выпускников творческого потенциала, навыков общения и работы в команде, профессиональной ответственности, умению адаптироваться к быстро меняющемуся миру современных электронных и микроэлектронных технологий.
  • Способствовать освоению выпускниками средств, способов и методов деятельности, направленной на теоретическое и экспериментальное исследование, математическое и компьютерное моделирование, проектирование, конструирование, технологию производства, использование и эксплуатацию материалов, компонентов, электронных приборов твердотельной, микроволновой, оптической, микро- и наноэлектроники различного функционального назначения.
  • Подготовить высококвалифицированных специалистов в области разработки и эксплуатации современных микроэлектронных устройств, предназначенных для работы в самых различных областях: СВЧ электроника и микроэлектроника, функциональная микроэлектроника, плазменная и вакуумная электроника, криоэлектроника.
Основные дисциплины
Исследование спин-волновых процессов в слоистых структурах и разработка на их основе приборов и устройств обработки сверхвысокочастотных сигналов
Исследование фото-, электро-, термо- и газоактивированных явлений в гетероструктурах пленок оксидов переходных металлов
Приборно-технологическое компьютерное моделирование и проектирование твердотельных элементов и устройств различного функционального назначения в среде Synopsys TCAD
Контактная информация
Калиникос Борис Антонович
Подать документы

Практика и партнеры
ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН
Институт физики твердого тела РАН
Институт химии силикатов им. И.В.Гребенщикова РАН
ОАО «Гириконд», СПб
ОАО «Ленинец», СПб
ВНИИРА, СПб
ОАО «Завод «Магнетон», СПб
ОАО «Авангард», СПб
ООО «Русский сверхпроводник», Москва
ОАО НПП «Радар ММС»

Отзывы выпускников и студентов

Семен Хахулин

Я увидел ЛЭТИ и понял – это любовь с первого взгляда.

Выпуск ФЭЛ

Лана Богословская

ЛЭТИ оформил мой интерес к познанию и научной деятельности.

Выпуск ФЭЛ

Татьяна Легкова

Преподавательский состав показал мне, что наука может быть интересной.

Выпуск ФЭЛ

Наталия Рощина

Университет научил меня работать с информацией и структурно мыслить.

Выпуск ФЭЛ