Физическая электроника
11.04.04 Электроника и наноэлектроника
2 года обучения
Очная форма обучения
Количество мест
(по направлению подготовки):
Бюджетных - 135
Платных - 15
Стоимость обучения
за первый семестр на контракте
120,5 тыс руб
Государственная
аккредитация
65-70
Суммарный минимальный проходной балл на бюджетные места
по результатам приемной кампании 2022
Индивидуальные достижения, учитываемые при поступлении
  • Выступления на конференциях и семинарах без публикации тезисов (русский яз.)
  • Научные публикации в журналах, сборниках конференций, входящих в перечень РИНЦ
  • Выступления на международной конференции с докладом без публикации тезисов (англ. яз.)
  • Выступления на конференциях и семинарах с публикацией тезисов докладов (русский язык)
  • Оценка, полученная при защите выпускной квалификационной работы: «хорошо»
  • В приложении к диплому нет оценок «удовлетворительно»
  • Выступления на международной конференции с докладом с публикацией тезисов (англ. яз.)
  • Обладатели золотого знака ГТО
  • Оценка, полученная при защите выпускной квалификационной работы «отлично»
  • Научные публикации в журналах, входящих в перечень ВАК
  • Диплом отличием
  • Грамоты, сертификаты, дипломы победителя или призера студенческих олимпиад, конкурсов и мероприятий к ним приравненных
  • Участие в выполнении научных работ
  • Публикация аннотации выпускной квалификационной работы на сайте вуза по рекомендации ГЭК
  • Победители отборочного тура Олимпиады Газпром для студентов, по направлению подготовки, профильному для олимпиады
  • Призеры заключительного тура Олимпиады Я Профессионал, поступающих по направлению подготовки, профильному для олимпиады
  • Победители заключительного тура Олимпиады Я Профессионал, поступающих по направлению подготовки, профильному для олимпиады
  • Призёры ежегодных студенческих олимпиад СПбГЭТУ «ЛЭТИ» для поступающих в магистратуру по направлению подготовки, профильному для олимпиады
  • Диплом II или III степени конференции «Наука настоящего и будущего»
  • Призёры (командное первенство) Региональной предметной олимпиады для студентов высших учебных заведений Санкт-Петербурга по направлению подготовки, профильному для олимпиады
  • Научные публикации в сборнике материалов конференции WoS и Scopus
  • Победители (командное первенство) Региональной предметной олимпиады для студентов высших учебных заведений Санкт-Петербурга по направлению подготовки, профильному для олимпиады
  • Победители ежегодных студенческих олимпиад СПбГЭТУ «ЛЭТИ» для поступающих в магистратуру по направлению подготовки, профильному для олимпиады
  • Призеры заключительного тура Олимпиады Газпром для студентов, по направлению подготовки, профильному для олимпиады
  • Диплом I степени конференции «Наука настоящего и будущего»
  • Призёры (личное первенство) Региональной предметной олимпиады для студентов высших учебных заведений Санкт-Петербурга по направлению подготовки, профильному для олимпиады
  • Научные публикации в журналах WoS и Scopus
  • Победители заключительного тура Олимпиады Газпром для студентов, по направлению подготовки, профильному для олимпиады
  • Победители (личное первенство) Региональной предметной олимпиады для студентов высших учебных заведений Санкт-Петербурга по направлению подготовки, профильному для олимпиады

Преимущества программы
При кафедре организована Научная школа Президента РФ «Микроэлектроника СВЧ»
Для проведения лабораторных работ, практических занятий, практик студентов и выполнения НИР кафедра ФЭТ располагает рядом учебно-научных лабораторией, оснащенных современным оборудованием
Углубленная теоретическая база и инженерная направленность подготовки
Описание программы

Основными целями магистерской программы являются:

  • Подготовить выпускников для успешного начала профессиональной инженерной деятельности и их дальнейшего профессионального роста, способных, благодаря углубленной теоретической базе и инженерной направленности подготовки, решать задачи проектирования, разработки и эксплуатации устройств электроники и микроэлектроники различного функционального назначения.
  • Способствовать развитию у выпускников творческого потенциала, навыков общения и работы в команде, профессиональной ответственности, умению адаптироваться к быстро меняющемуся миру современных электронных и микроэлектронных технологий.
  • Способствовать освоению выпускниками средств, способов и методов деятельности, направленной на теоретическое и экспериментальное исследование, математическое и компьютерное моделирование, проектирование, конструирование, технологию производства, использование и эксплуатацию материалов, компонентов, электронных приборов твердотельной, микроволновой, оптической, микро- и наноэлектроники различного функционального назначения.
  • Подготовить высококвалифицированных специалистов в области разработки и эксплуатации современных микроэлектронных устройств, предназначенных для работы в самых различных областях: СВЧ электроника и микроэлектроника, функциональная микроэлектроника, плазменная и вакуумная электроника, криоэлектроника.
Основные дисциплины
Исследование спин-волновых процессов в слоистых структурах и разработка на их основе приборов и устройств обработки сверхвысокочастотных сигналов
Исследование фото-, электро-, термо- и газоактивированных явлений в гетероструктурах пленок оксидов переходных металлов
Приборно-технологическое компьютерное моделирование и проектирование твердотельных элементов и устройств различного функционального назначения в среде Synopsys TCAD
Контактная информация
Калиникос Борис Антонович
Подать документы

Практика и партнеры
ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН
Институт физики твердого тела РАН
Институт химии силикатов им. И.В.Гребенщикова РАН
ОАО «Гириконд», СПб
ОАО «Ленинец», СПб
ВНИИРА, СПб
ОАО «Завод «Магнетон», СПб
ОАО «Авангард», СПб
ООО «Русский сверхпроводник», Москва
ОАО НПП «Радар ММС»
Возможности для исследований
Учебно-научные лаборатории (УНЛ)

  • УНЛ микроволновая и телекоммуникационная электроника;
  • УНЛ спин-волновой электроники;
  • УНЛ спин-волновой электроники;
  • УНЛ технологии тонких пленок;
  • УНЛ физики и технологии оксидных пленочных гетероструктур;
  • Научная лаборатория «Пульс».

Отзывы выпускников и студентов

Выпускник ФКТИ Владислав Угрюмов:

Здесь учат думать иначе, искать проблемы и предлагать их решения.

Выпускница ИНПРОТЕХ Дарья Прядко:

ЛЭТИ предоставляет большие возможности, главное – изъявить желание.

Выпускник ФЭА Артем Мельников:

ЛЭТИ дал мне опыт решения нестандартных задач, накопленный поколениями ученых.

Выпускник ФКТИ Артем Глущенко:

Я рад, что мне удалось поступить на направление, которое тесно связано с моими интересами.

Выпускник ФИБС Роман Мышко:

ЛЭТИ предоставляет все необходимые возможности тем, кто хочет учиться.

Выпускник ФЭЛ Семен Хахулин:

Я увидел ЛЭТИ и понял – это любовь с первого взгляда.

Выпускник ИНПРОТЕХ Кирилл Хорев:

ЛЭТИ помог расширить внутренние границы и вырасти.

Выпускник ФКТИ Александр Шахов:

Моя маленькая мечта – передавать знания другим.

Выпускник ФЭА Юрий Шанин:

ЛЭТИ заразил меня чаянием к бесконечным знаниям.

Выпускница ГФ Ульяна Савченко:

ЛЭТИ познакомил меня с людьми, которые мотивируют, вдохновляют, поддерживают.

Выпускник ФИБС Евгений Купчинский:

ЛЭТИ научил разбираться в людях и четко распределять свое время.

Выпускница ФЭЛ Лана Богословская:

ЛЭТИ оформил мой интерес к познанию и научной деятельности.

Выпускница ФРТ Татьяна Самсонова:

ЛЭТИ дал, наверное, самый полезный урок – не бояться ошибок.

Выпускница ФЭЛ Татьяна Легкова:

Преподавательский состав показал мне, что наука может быть интересной.

Выпускница ФЭЛ Наталия Рощина:

Университет научил меня работать с информацией и структурно мыслить.

Выпускница ФЭА Екатерина Трусова:

Для меня ЛЭТИ – это одна большая семья.