Информационные технологии проектирования радиоэлектронных средств
11.04.03 Конструирование и технология электронных средств
2 года обучения
Очная форма обучения
Количество мест
(по направлению подготовки):
Бюджетных - 39
Платных - 7
Стоимость обучения
за первый семестр на контракте
120,5 тыс руб
Государственная
аккредитация
65
Суммарный минимальный проходной балл на бюджетные места
по результатам приемной кампании 2021
Даты и время вступительных испытаний
24.06.2022 12:00
15.07.2022 11:00
27.07.2022 11:00
11.08.2022 11:00
26.08.2022 11:00
Индивидуальные достижения, учитываемые при поступлении
  • Выступления на конференциях и семинарах без публикации тезисов (русский яз.)
  • Научные публикации в журналах, сборниках конференций, входящих в перечень РИНЦ
  • Выступления на международной конференции с докладом без публикации тезисов (англ. яз.)
  • Выступления на конференциях и семинарах с публикацией тезисов докладов (русский язык)
  • Оценка, полученная при защите выпускной квалификационной работы: «хорошо»
  • В приложении к диплому нет оценок «удовлетворительно»
  • Выступления на международной конференции с докладом с публикацией тезисов (англ. яз.)
  • Обладатели золотого знака ГТО
  • Оценка, полученная при защите выпускной квалификационной работы «отлично»
  • Научные публикации в журналах, входящих в перечень ВАК
  • Диплом отличием
  • Грамоты, сертификаты, дипломы победителя или призера студенческих олимпиад, конкурсов и мероприятий к ним приравненных
  • Участие в выполнении научных работ
  • Публикация аннотации выпускной квалификационной работы на сайте вуза по рекомендации ГЭК
  • Победители отборочного тура Олимпиады Газпром для студентов, по направлению подготовки, профильному для олимпиады
  • Призеры заключительного тура Олимпиады Я Профессионал, поступающих по направлению подготовки, профильному для олимпиады
  • Победители заключительного тура Олимпиады Я Профессионал, поступающих по направлению подготовки, профильному для олимпиады
  • Призёры ежегодных студенческих олимпиад СПбГЭТУ «ЛЭТИ» для поступающих в магистратуру по направлению подготовки, профильному для олимпиады
  • Диплом II или III степени конференции «Наука настоящего и будущего»
  • Призёры (командное первенство) Региональной предметной олимпиады для студентов высших учебных заведений Санкт-Петербурга по направлению подготовки, профильному для олимпиады
  • Научные публикации в сборнике материалов конференции WoS и Scopus
  • Победители (командное первенство) Региональной предметной олимпиады для студентов высших учебных заведений Санкт-Петербурга по направлению подготовки, профильному для олимпиады
  • Победители ежегодных студенческих олимпиад СПбГЭТУ «ЛЭТИ» для поступающих в магистратуру по направлению подготовки, профильному для олимпиады
  • Призеры заключительного тура Олимпиады Газпром для студентов, по направлению подготовки, профильному для олимпиады
  • Диплом I степени конференции «Наука настоящего и будущего»
  • Призёры (личное первенство) Региональной предметной олимпиады для студентов высших учебных заведений Санкт-Петербурга по направлению подготовки, профильному для олимпиады
  • Научные публикации в журналах WoS и Scopus
  • Победители заключительного тура Олимпиады Газпром для студентов, по направлению подготовки, профильному для олимпиады
  • Победители (личное первенство) Региональной предметной олимпиады для студентов высших учебных заведений Санкт-Петербурга по направлению подготовки, профильному для олимпиады

Преимущества программы
Единственная кафедра в ВУЗах Санкт-Петербурга, которая проводит подготовку специалистов в области проектирования устройств, конструкций и технологий радиоэлектронной аппаратуры
Готовит специалистов, крайне востребованных в промышленных предприятиях отрасли
Дополнительная финансовая поддержка магистрантов со стороны правительства
Описание программы

Подготовка магистров осуществляется на кафедре микрорадиоэлектроники и технологии радиоаппаратуры (МИТ). Это единственная кафедра в ВУЗах Санкт-Петербурга, которая проводит подготовку специалистов в области проектирования устройств, конструкций и технологий радиоэлектронной аппаратуры, крайне востребованных предприятиями во многих отраслях промышленности. Сотрудники кафедры входят в состав научно-методического совета по направлению подготовки бакалавров и магистров «Конструирование и технология электронных средств» в рамках федерального учебно-методического объединения. С 2012 г. направление «Конструирование и технология электронных средств» включено в перечень приоритетных направлений магистерской подготовки, поддерживаемых дополнительным государственным финансированием. Актуальность программы подтверждается растущим спросом на специалистов, которые владеют навыками системной инженерии, умеют формулировать требования к устройствам и системам различного назначения, создавать компоненты современных систем связи, разрабатывать проектно-конструкторскую и технологическую документацию в соответствии с требованиями стандартов. Профессиональная деятельность выпускников данной программы может быть связана с теоретическими и экспериментальными исследованиями, а также инженерной деятельностью в области разработки как существующих телекоммуникационных систем, так и систем связи нового поколения 5G.

Основные дисциплины
Интеллектуальные конструкторско-технологические системы
Компьютерные технологии сквозного проектирования
Метаматериалы для применения в микроволновом и ТГц диапазоне (на англ. языке)
Основы микро- и нанотехнологии в радиоэлектронике
Сверхвысокочастотные устройства телекоммуникаций
Системная инженерия
Контактная информация
Тупик Виктор Анатольевич
Заведующий кафедрой МИТ
+7 812 234-16-97
Подать документы

Кем работают выпускники
Разработчик телекоммуникационных систем
Разработчик систем 5G
Программист телекоммуникационных систем
Где работают выпускники
АО «НИИ «Вектор»
ОАО НПП «РАДАР ММС»
Холдинговая компания «Ленинец»
АО «НИИ «Рубин»
ОАО «Авангард»
Институт химии силикатов РАН
«LG Electronics»
«Samsung Electronics»
Практика и партнеры
Институт химии силикатов РАН
Возможности для исследований
Инфраструктура

Обучение проводится на базе кафедры МИТ, имеющей 2 учебных класса информационно-компьютерных технологий и оснащенную учебно-научную лабораторию технологических процессов в радиоэлектронике.

Обучение студентов проводится на базе лаборатории проектирования узлов РЭС с применением современного программного обеспечения: Altium Designer, AWR Microwave office, Ansoft HFSS.

Студенты имеют доступ к современным технологиям проектирования и технологическим процессам, а также контрольно-измерительному оборудованию компании Rohde&Schwarz. Также на кафедре МИТ имеется экспериментальный стенд для проведения исследований характеристик устройств, выполненных на основе высокотемпературных сверхпроводников.

Кафедра располагает блоком оптического контроля, предназначенным для автоматизированного контроля устройств наноэлектроники – наноструктурированных композиционных пленок, которые используются для разработки термостабильных сегнетоэлектрических устройств.

Отзывы выпускников и студентов

Выпускник ФКТИ Владислав Угрюмов:

Здесь учат думать иначе, искать проблемы и предлагать их решения.

Выпускница ИНПРОТЕХ Дарья Прядко:

ЛЭТИ предоставляет большие возможности, главное – изъявить желание.

Выпускник ФЭА Артем Мельников:

ЛЭТИ дал мне опыт решения нестандартных задач, накопленный поколениями ученых.

Выпускник ФКТИ Артем Глущенко:

Я рад, что мне удалось поступить на направление, которое тесно связано с моими интересами.

Выпускник ФИБС Роман Мышко:

ЛЭТИ предоставляет все необходимые возможности тем, кто хочет учиться.

Выпускник ФЭЛ Семен Хахулин:

Я увидел ЛЭТИ и понял – это любовь с первого взгляда.

Выпускник ИНПРОТЕХ Кирилл Хорев:

ЛЭТИ помог расширить внутренние границы и вырасти.

Выпускник ФКТИ Александр Шахов:

Моя маленькая мечта – передавать знания другим.

Выпускник ФЭА Юрий Шанин:

ЛЭТИ заразил меня чаянием к бесконечным знаниям.

Выпускница ГФ Ульяна Савченко:

ЛЭТИ познакомил меня с людьми, которые мотивируют, вдохновляют, поддерживают.

Выпускник ФИБС Евгений Купчинский:

ЛЭТИ научил разбираться в людях и четко распределять свое время.

Выпускница ФЭЛ Лана Богословская:

ЛЭТИ оформил мой интерес к познанию и научной деятельности.

Выпускница ФРТ Татьяна Самсонова:

ЛЭТИ дал, наверное, самый полезный урок – не бояться ошибок.

Выпускница ФЭЛ Татьяна Легкова:

Преподавательский состав показал мне, что наука может быть интересной.

Выпускница ФЭЛ Наталия Рощина:

Университет научил меня работать с информацией и структурно мыслить.

Выпускница ФЭА Екатерина Трусова:

Для меня ЛЭТИ – это одна большая семья.